Bolsa de Pós-Doutorado FAPESP em Dispositivos baseados em Materiais Híbridos

Bolsa de Pós-Doutorado FAPESP em Dispositivos baseados em Materiais Híbridos

Projeto Temático: Design de materiais: dos materiais quânticos às aplicações em
energia (2023/09820-2)
Área do Conhecimento: Física / Ciências dos Materiais / Nanotecnologia
Resumo do Projeto:
Este projeto de pós-doutorado tem como objetivo central o desenvolvimento e a
investigação de dispositivos optoeletrônicos, com ênfase na compreensão
fundamental das interfaces entre eletrodos e materiais ativos. O estudo focará em
duas classes promissoras de materiais híbridos: perovskitas e MOFs (Metal-Organic
Frameworks), explorando sinergias entre suas propriedades eletrônicas, ópticas e
morfológicas. Um dos pilares da pesquisa será a investigação sistemática de como
defeitos em filmes finos e nas interfaces — como vacâncias, impurezas e desordem
estrutural — impactam diretamente o desempenho e a estabilidade dos dispositivos.
Esses defeitos atuam como centros de recombinação não-radiativa ou como barreiras
ao transporte de carga, influenciando decisivamente propriedades-chave como
eficiência quântica, mobilidade de cargas e degradação operacional. A metodologia
integra três vertentes principais: a síntese química controlada dos materiais, as
técnicas avançadas de micro e nanofabricação (incluindo fotolitografia e deposição de
filmes finos) para a construção dos dispositivos, e uma caracterização multifuncional
abrangente. Será essencial que o(a) bolsista possua a capacidade de correlacionar
dados morfológicos e eletroestáticos de alta resolução, obtidos por técnicas de análise
de superfície como AFM (Microscopia de Força Atômica), KPFM (Microscopia de Força
de Kelvin) e SKPM (Scanning Kelvin Probe Microscopy), com os resultados de medições
elétricas e ópticas realizadas nos dispositivos completos. Dessa forma, o projeto não
apenas visa a fabricação de protótipos funcionais, mas também busca estabelecer
relações estrutura-propriedade robustas, contribuindo para o design racional de uma
nova geração de dispositivos optoeletrônicos mais eficientes e estáveis.
Atividades do Bolsista:

  •  Síntese e caracterização de nanoestruturas de perovskita e MOFs;
  •  Fabricação de dispositivos utilizando fotolitografia e deposição de filmes finos;
  •  Caracterização elétrica e óptica dos dispositivos fabricados;
  •  Análise de mecanismos de injeção e transporte de cargas em interfaces;
  •  Estudo das propriedades de superfície de filmes por meio de técnicas como
  • AFM, KPFM e SKPM;
  •  Correlação entre dados morfológicos, eletroestáticos e desempenho dos
  • dispositivos;
  •  Redação de artigos científicos e relatórios técnicos.

Requisitos: Doutorado em Física, Ciência e Tecnologia de Materiais ou áreas
correlatas;
Experiência comprovada em:

  •  Síntese de materiais híbridos;
  •  Processos de fabricação de dispositivos, especialmente fotolitografia;
  •  Técnicas de caracterização avançada: AFM (Microscopia de Força Atômica),
  • KPFM (Microscopia de Força de Kelvin) e preferencialmente SKPM (Scanning
  • Kelvin Probe Microscopy);
  •  Realização e análise de medidas elétricas em dispositivos sólidos;
  •  Domínio da língua inglesa (leitura e escrita científica);
  •  Capacidade de trabalho em equipe e de correlacionar dados multidisciplinares.

Duração e Local:
O projeto terá duração de até 4 anos, com atividades desenvolvidas principalmente no
Departamento de Física da UNESP, campus Rio Claro.
Supervisor:
Prof. Dr. Carlos Cesar Bof Bufon
Como se Candidatar:
Interessados devem enviar CV atualizado para cesar.bof@unesp.br

Prazo para Inscrições: 06/12/2025

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