Estão abertas as inscrições para 1 vaga de Pós-Doutorado em Semicondutores, vinculada ao projeto Centro de Pesquisa e Inovação de Materiais Inteligentes e Quânticos (CRISQuaM), no Instituto de Física Gleb Wataghin da Unicamp (IFGW-Unicamp).
A oportunidade é voltada ao desenvolvimento de tecnologias em carbeto de silício (SiC) para qubits baseados no controle de defeitos de superfície e interface, utilizando diodos Schottky e capacitores MOS.
O projeto envolve:
- fabricação de diodos Schottky e capacitores MOS em substratos de 4H-SiC;
- engenharia controlada de defeitos de superfície e interface por técnicas como focused ion beam (FIB), nitridação e oxidação por plasma;
- caracterização elétrica por medidas de corrente-tensão (I–V) e capacitância-tensão (C–V) em temperaturas criogênicas ultrabaixas (< 4 K);
- caracterização óptica por espectroscopia de fotoluminescência (PL) para identificação de transições eletrônicas associadas a defeitos;
- investigação da viabilidade desses defeitos como plataformas para qubits em estado sólido e aplicações em sensoriamento quântico.
A pesquisa será desenvolvida no contexto das atividades estratégicas do CEPID CRISQuaM, com forte integração entre nanofabricação, caracterização criogênica e espectroscopia de defeitos.
Informações da vaga
Local: CCSNano/Unicamp, Campinas
Pesquisador responsável: Daniel Mario Ugarte
Inscrições até: 10/04/2026
E-mail para inscrições: jadiniz@unicamp.br
Nº da vaga: 9229
Processo FAPESP: 2024/00998-6
A vaga está aberta a brasileiros e estrangeiros. O(a) selecionado(a) receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.570,00 mensais, além de Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para despesas diretamente relacionadas à pesquisa.
Uma excelente oportunidade para pesquisadores interessados em semicondutores, dispositivos em SiC, física experimental e tecnologias quânticas.
