{"id":4275,"date":"2019-03-14T11:34:39","date_gmt":"2019-03-14T14:34:39","guid":{"rendered":"https:\/\/sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/2019\/03\/14\/antidopagem-uma-nova-tecnica-para-controlar-propriedades-eletricas-de-materiais\/"},"modified":"2022-08-18T23:55:04","modified_gmt":"2022-08-19T02:55:04","slug":"antidopagem-uma-nova-tecnica-para-controlar-propriedades-eletricas-de-materiais","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/antidopagem-uma-nova-tecnica-para-controlar-propriedades-eletricas-de-materiais\/","title":{"rendered":"Antidopagem: uma nova t\u00e9cnica para controlar propriedades el\u00e9tricas de materiais\u00a0\u00a0"},"content":{"rendered":"<p><span style=\"background-color: inherit; color: inherit; font-family: inherit; font-size: 1rem;\">Dopar semicondutores significa acrescentar pequenas quantidades de impurezas, em geral algum tipo de metal, \u00e0s f\u00f3rmulas desses materiais. A dopagem costuma aumentar a capacidade de conduzir eletricidade do semicondutor. Experimentos recentes, por\u00e9m, v\u00eam mostrando que, em alguns casos, a dopagem pode ter o efeito contr\u00e1rio, reduzindo a condutividade el\u00e9trica. Em artigo publicado essa semana na revista Physical Review Letters, uma equipe de pesquisadores da Universidade do Colorado em Boulder, Estados Unidos, incluindo o f\u00edsico Gustavo Dalpian, da Universidade Federal do ABC, S\u00e3o Paulo, explica pela primeira vez os princ\u00edpios f\u00edsicos por tr\u00e1s desse fen\u00f4meno, chamado de antidopagem. O estudo te\u00f3rico prev\u00ea quais tipo de materiais podem ser antidopados, v\u00e1rios deles utilizados em baterias de l\u00edtio.<\/span><\/p>\n<p><!--more--><\/p>\n<p><span style=\"background-color: inherit; color: inherit; font-family: inherit; font-size: 1rem;\">\u201cDescrevemos os princ\u00edpios fundamentais para proceder com o design e a descoberta de novos materiais com a propriedade de antidopagem\u201d, explica Dalpian. \u201cReportamos esse tipo de propriedade para v\u00e1rios \u00f3xidos, como os baseados em n\u00edquel, ou em cobalto. A antidopagem abre uma nova rota para o controle da resist\u00eancia el\u00e9trica, com aplica\u00e7\u00f5es em dispositivos de chaveamento da resist\u00eancia, sensores de campo el\u00e9trico e dispositivos \u00f3pticos.\u201d<\/span><\/p>\n<p><iframe style=\"display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;\" data-src=\"https:\/\/www.youtube.com\/embed\/5JRgiP4wvYY\" width=\"560\" height=\"315\" frameborder=\"0\" allowfullscreen=\"allowfullscreen\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" class=\"lazyload\" data-load-mode=\"1\"><\/iframe><\/p>\n<p>Em geral, a dopagem de um material semicondutor faz com que o intervalo de energia entre os estados eletr\u00f4nicos ocupados e desocupados do material semicondutor diminua. Por\u00e9m, como Dalpian e seus colegas descobriram, alguns materiais possuem estados eletr\u00f4nicos intermedi\u00e1rios com caracter\u00edsticas especiais tais que a dopagem se torna uma antidopagem, levando ao efeito inverso:\u00a0 um aumento do intervalo de energia entre os estados eletr\u00f4nicos ocupados e desocupados, diminuindo a condutividade do material.<\/p>\n<p>A pesquisa foi desenvolvida com apoio financeiro da FAPESP e do CNPq.<\/p>\n<p><strong>Artigo Cient\u00edfico<\/strong><br \/>\n<em>Antidoping in Insulators and Semiconductors Having Intermediate Bands with Trapped Carriers<\/em><br \/>\nQihang Liu, Gustavo M. Dalpian e Alex Zunger<br \/>\n<a href=\"https:\/\/doi.org\/10.1103\/PhysRevLett.122.106403\">Physical Review Letters 122, 106403 (2019)<br \/>\n<\/a><a href=\"https:\/\/arxiv.org\/abs\/1812.10894\">ArXiv:1812.10894<\/a><\/p>\n<p><strong>Contato para imprensa<\/strong><br \/>\nIgor Zolnerkevic<br \/>\nAssessor de comunica\u00e7\u00e3o<br \/>\n<span id=\"cloakdad191a7dc612e24087bd2d88e394ee1\"><span id=\"cloaka3650feb32c0225021de850f7482a05f\"><span id=\"cloak6d47b67accf2a5e32a303d3b4051e58b\"><span id=\"cloakc5460b65ee250d945457f6ddd06eb92c\"><span id=\"cloakee1d27c8d405f64b80513adf1f206491\"><span id=\"cloake5c275d838bb3010de681989d41bca73\"><span id=\"cloak1beb4212038cdffa32112548a2be2bd8\"><span id=\"cloak1f434f622a514e7b103b08992b433ddc\"><span id=\"cloak9160f7f0a435aca7552a16a76eaab6b0\"><span id=\"cloakb342d5a259ba97fe0b67e2b3172f7377\"><span id=\"cloak526f7c620f1b557e554e99c2dd59c186\"><span id=\"cloak83ace175351666cfdf84e49ce4bcfe32\"><span id=\"cloakd51b3e38743ef303d483511941bf5b9d\"><a href=\"mailto:comunicacao@sbfisica.org.br\">comunicacao@sbfisica.org.br<\/a><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Dopar semicondutores significa acrescentar pequenas quantidades de impurezas, em geral algum tipo de metal, \u00e0s f\u00f3rmulas desses materiais. 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