{"id":4255,"date":"2019-02-07T13:42:55","date_gmt":"2019-02-07T15:42:55","guid":{"rendered":"https:\/\/sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/2019\/02\/07\/transistores-mais-eficientes-podem-ser-feitos-de-materiais-com-protecao-dupla-para-eletrons\/"},"modified":"2022-08-19T00:23:38","modified_gmt":"2022-08-19T03:23:38","slug":"transistores-mais-eficientes-podem-ser-feitos-de-materiais-com-protecao-dupla-para-eletrons","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/transistores-mais-eficientes-podem-ser-feitos-de-materiais-com-protecao-dupla-para-eletrons\/","title":{"rendered":"Transistores mais eficientes podem ser feitos de materiais com \u201cprote\u00e7\u00e3o dupla\u201d para el\u00e9trons"},"content":{"rendered":"<p>Os transistores s\u00e3o dispositivos eletr\u00f4nicos que controlam a passagem de corrente el\u00e9trica por meio de um interruptor que define os zeros e uns das opera\u00e7\u00f5es l\u00f3gicas essenciais para o funcionamento dos computadores. Espera-se que os atuais transistores eletr\u00f4nicos sejam superados por uma tecnologia mais eficiente, a dos transistores spintr\u00f4nicos. Seus interruptores funcionariam mudando a dire\u00e7\u00e3o do spin dos el\u00e9trons, uma opera\u00e7\u00e3o que custaria muito menos energia. Em um artigo publicado dia 25 de janeiro na Physical Review Letters, os f\u00edsicos Carlos Mera Acosta e Adalberto Fazzio mostram como seria poss\u00edvel construir um transistor spintr\u00f4nico a partir de uma nova classe de materiais rec\u00e9m-descoberta, os isolantes topol\u00f3gicos duais.<\/p>\n<p><!--more--><\/p>\n<p>Como Fazzio explica no v\u00eddeo abaixo, os isolantes topol\u00f3gicos s\u00e3o materiais semicondutores cujas superf\u00edcies se comportam como metais com uma propriedade muito especial: os el\u00e9trons de correntes el\u00e9tricas percorrendo a superf\u00edcie de um isolante topol\u00f3gico s\u00e3o protegidos contra espalhamento, isto \u00e9, t\u00eam sua energia, momento e spin preservados. Isso torna os isolantes topol\u00f3gicos materiais ideais para a spintr\u00f4nica.<\/p>\n<p><iframe style=\"display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;\" data-src=\"https:\/\/www.youtube.com\/embed\/BsL1BpKMzAA\" width=\"560\" height=\"315\" frameborder=\"0\" allowfullscreen=\"allowfullscreen\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" class=\"lazyload\" data-load-mode=\"1\"><\/iframe><\/p>\n<p>Em geral, a origem da prote\u00e7\u00e3o contra espalhamento nos isolantes topol\u00f3gicos \u00e9 uma propriedade das equa\u00e7\u00f5es que determinam o comportamento dos el\u00e9trons nesses materiais chamada de simetria de revers\u00e3o temporal. Recentemente por\u00e9m, pesquisadores descobriram isolantes topol\u00f3gicos que, al\u00e9m da simetria de revers\u00e3o temporal, possuem outras simetrias que atuam na prote\u00e7\u00e3o contra espalhamento, por exemplo, a simetria de espelho com rela\u00e7\u00e3o a um certo plano. \u201cPensamos em usar um campo el\u00e9trico externo para quebrar a simetria de espelho que protege e obriga os el\u00e9trons a manterem uma dire\u00e7\u00e3o espec\u00edfica de spin, induzindo ent\u00e3o dire\u00e7\u00f5es de spin diferentes\u201d, explica Acosta. \u201cIsso significa que ter\u00edamos um sistema com dire\u00e7\u00f5es de spin diferentes marcando \u201czero\u201d ou \u201cum\u201d, mas mantendo a prote\u00e7\u00e3o topol\u00f3gica.\u201d<\/p>\n<p>Esse estudo te\u00f3rico se iniciou durante o rec\u00e9m-conclu\u00eddo doutorado de Acosta na Universidade de S\u00e3o Paulo (USP) e continua com Fazzio e Acosta trabalhando como pesquisadores no Laborat\u00f3rio Nacional de Nanotecnologia do Centro Nacional de Pesquisas em Energia e Materiais (CNPEM), em Campinas, S\u00e3o Paulo, com apoio da FAPESP.<\/p>\n<p><strong>Artigo cient\u00edfico<\/strong><br \/>\n<em>Spin-Polarization Control Driven by a Rashba-Type Effect Breaking the Mirror Symmetry in Two-Dimensional Dual Topological Insulators<\/em><\/p>\n<p>Carlos Mera Acosta e Adalberto Fazzio<br \/>\n<a href=\"https:\/\/journals.aps.org\/prl\/abstract\/10.1103\/PhysRevLett.122.036401\">Physical Review Letters 122, 036401 (2019)<br \/>\n<\/a><a href=\"https:\/\/arxiv.org\/abs\/1811.11014\">ArXiv:1811.11014<\/a><\/p>\n<p><strong>Contato para imprensa<\/strong><br \/>\nIgor Zolnerkevic<br \/>\nAssessor de comunica\u00e7\u00e3o<br \/>\n<span id=\"cloakdad191a7dc612e24087bd2d88e394ee1\"><span id=\"cloaka3650feb32c0225021de850f7482a05f\"><span id=\"cloak6d47b67accf2a5e32a303d3b4051e58b\"><span id=\"cloakc5460b65ee250d945457f6ddd06eb92c\"><span id=\"cloakee1d27c8d405f64b80513adf1f206491\"><span id=\"cloake5c275d838bb3010de681989d41bca73\"><span id=\"cloak1beb4212038cdffa32112548a2be2bd8\"><span id=\"cloak1f434f622a514e7b103b08992b433ddc\"><a href=\"mailto:comunicacao@sbfisica.org.br\">comunicacao@sbfisica.org.br<\/a><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/span><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Os transistores s\u00e3o dispositivos eletr\u00f4nicos que controlam a passagem de corrente el\u00e9trica por meio de um interruptor que define os zeros e uns das opera\u00e7\u00f5es l\u00f3gicas essenciais para o funcionamento dos computadores. 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