{"id":3944,"date":"2014-04-24T13:09:56","date_gmt":"2014-04-24T16:09:56","guid":{"rendered":"https:\/\/sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/2014\/04\/24\/calculando-a-resistencia-mecanica-de-cristais-quanticos\/"},"modified":"2022-08-24T23:04:37","modified_gmt":"2022-08-25T02:04:37","slug":"calculando-a-resistencia-mecanica-de-cristais-quanticos","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/calculando-a-resistencia-mecanica-de-cristais-quanticos\/","title":{"rendered":"Calculando a resist\u00eancia mec\u00e2nica de cristais qu\u00e2nticos"},"content":{"rendered":"\n

Trabalho te\u00f3rico realizado por pesquisadores no Brasil e nos Estados Unidos  generaliza para cristais qu\u00e2nticos o conceito de  Resist\u00eancia Ideal. O artigo, em tema at\u00e9 agora pouco investigado,  recebeu  a  chancela de  Sugest\u00e3o do Editor<\/em>  do peri\u00f3dico Physical Review Letters.<\/p>\n\n\n\n

Estruturas cristalinas s\u00e3o caracterizadas pela distribui\u00e7\u00e3o geom\u00e9trica peri\u00f3dica dos \u00e1tomos.  A estrutura, quando deformada por estresse moderado, preserva o arranjo regular dos \u00e1tomos e retorna \u00e0 configura\u00e7\u00e3o perfeita quando o estresse \u00e9 retirado. Resist\u00eancia Ideal,  nesse contexto, \u00e9 definida como sendo o estresse limite  aplicado a um cristal tal que ele permane\u00e7a   livre de defeitos estruturais.  Para valores de estresse acima do limite formam-se defeitos extensos, quebrando a periodicidade na disposi\u00e7\u00e3o dos \u00e1tomos, formando uma estrutura  irregular de modo irrevers\u00edvel.<\/p>\n\n\n\n

At\u00e9 ent\u00e3o, estudos da Resist\u00eancia Ideal se limitavam a cristais cl\u00e1ssicos, onde efeitos qu\u00e2nticos nas intera\u00e7\u00f5es interat\u00f4micas s\u00e3o desprez\u00edveis. “Recentemente, contudo, tem havido um crescente interesse no comportamento de deforma\u00e7\u00f5es dos chamados cristais qu\u00e2nticos, em que as flutua\u00e7\u00f5es qu\u00e2nticas s\u00e3o dominantes”, escrevem Edgar Josu\u00e9 Landinez Borda e Maurice de Koning, da Unicamp, e Wei Cai, da Universidade Stanford, em artigo publicado em 17 de abril na “Physical Review Letters”.<\/p>\n\n\n\n

Para investigar esse tema, os pesquisadores realizaram simula\u00e7\u00f5es de Monte Carlo qu\u00e2ntico com c\u00e9lulas de at\u00e9 720 \u00e1tomos que permitiram  computar a Resist\u00eancia Ideal do plano basal de um cristal qu\u00e2ntico bos\u00f4nico de h\u00e9lio-4 (is\u00f3topo do h\u00e9lio com dois pr\u00f3tons e dois n\u00eautrons).<\/p>\n\n\n\n

Ao analisar os resultados, os pesquisadores confirmaram evidencias anteriores de que modelos inerentemente cl\u00e1ssicos continuam aplic\u00e1veis para a descri\u00e7\u00e3o do comportamento estrutural de cristais qu\u00e2nticos.  Essa conclus\u00e3o \u00e9 surpreendente pois sugere que os efeitos qu\u00e2nticos respons\u00e1veis pelo singular comportamento superfluido do h\u00e9lio 4 na fase l\u00edquida n\u00e3o se manifestam de modo t\u00e3o dram\u00e1tico na fase cristalina.<\/p>\n\n\n\n

Para ler o artigo, clique aqui<\/a> (resumo de acesso livre, texto completo para assinantes).<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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