A busca por materiais que possam sustentar o cont\u00ednuo desenvolvimento e a miniaturiza\u00e7\u00e3o de circuitos e dispositivos continua motivando laborat\u00f3rios de pesquisa b\u00e1sica. Um trabalho importante nessa dire\u00e7\u00e3o acaba de ser realizado por um grupo de pesquisadores brasileiros da UFMG.<\/p>\n\n\n\n
Eles investigaram um material constitu\u00eddo de camadas monoat\u00f4micas, o dissulfeto de molibd\u00eanio (MoS2). Este composto j\u00e1 foi identificado como um poss\u00edvel candidato para a fabrica\u00e7\u00e3o de transistores com uma \u00fanica camada at\u00f4mica.<\/p>\n\n\n\n
No trabalho, o grupo de Marcos A. Pimenta, do Departamento de F\u00edsica da UFMG (Universidade Federal de Minas Gerais), investigou a resposta de amostras \u00e0 incid\u00eancia de um laser. Foram estudados filmes de uma, duas ou tr\u00eas camadas de dissulfeto de molibd\u00eanio, al\u00e9m de uma amostra de volume, com um numero macrosc\u00f3pico de camadas.<\/p>\n\n\n\n
Ao excitar o material com um laser sintoniz\u00e1vel,, os pesquisadores observaram um fen\u00f4meno conhecido como espalhamento Raman, caracterizando-o principalmente em duas bandas espec\u00edficas. O estudo investiga resposta a 30 linhas de luz cobrindo o espectro vis\u00edvel, e compara amostras com 1, 2 ou 3 camadas e uma de volume.<\/p>\n\n\n\n
Os experimentos, reportados em 2 de abril no peri\u00f3dico “Physical Review Letters”, confirmaram predi\u00e7\u00f5es te\u00f3ricas sobre o dissulfeto de molibd\u00eanio, reafirmando seu potencial para aplica\u00e7\u00f5es nanotecnol\u00f3gicas. O artigo com predi\u00e7\u00f5es te\u00f3ricas, publicado em 2013 tamb\u00e9m no PRL, tem como um dos co-autores o tamb\u00e9m brasileiro Felipe H. da Jornada, doutorando na Universidade de California em Berkeley.<\/p>\n\n\n\n