{"id":31011,"date":"2026-04-02T10:07:57","date_gmt":"2026-04-02T13:07:57","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/?p=31011"},"modified":"2026-04-02T10:07:57","modified_gmt":"2026-04-02T13:07:57","slug":"bolsa-de-pos-doutorado-em-semicondutores-unicamp-fapesp","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbfisica.org.br\/v1\/sbf\/bolsa-de-pos-doutorado-em-semicondutores-unicamp-fapesp\/","title":{"rendered":"Bolsa de P\u00f3s-Doutorado em Semicondutores | Unicamp \/ FAPESP"},"content":{"rendered":"\n<p>Est\u00e3o abertas as inscri\u00e7\u00f5es para&nbsp;<strong>1 vaga de P\u00f3s-Doutorado em Semicondutores<\/strong>, vinculada ao projeto&nbsp;<strong>Centro de Pesquisa e Inova\u00e7\u00e3o de Materiais Inteligentes e Qu\u00e2nticos (CRISQuaM)<\/strong>, no&nbsp;<strong>Instituto de F\u00edsica Gleb Wataghin da Unicamp (IFGW-Unicamp)<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<p>A oportunidade \u00e9 voltada ao desenvolvimento de&nbsp;<strong>tecnologias em carbeto de sil\u00edcio (SiC)<\/strong>&nbsp;para&nbsp;<strong>qubits baseados no controle de defeitos de superf\u00edcie e interface<\/strong>, utilizando&nbsp;<strong>diodos Schottky<\/strong>&nbsp;e&nbsp;<strong>capacitores MOS<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<p>O projeto envolve:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>fabrica\u00e7\u00e3o de diodos Schottky e capacitores MOS em substratos de\u00a0<strong>4H-SiC<\/strong>;<\/li>\n\n\n\n<li>engenharia controlada de defeitos de superf\u00edcie e interface por t\u00e9cnicas como\u00a0<strong>focused ion beam (FIB)<\/strong>, nitrida\u00e7\u00e3o e oxida\u00e7\u00e3o por plasma;<\/li>\n\n\n\n<li>caracteriza\u00e7\u00e3o el\u00e9trica por medidas de\u00a0<strong>corrente-tens\u00e3o (I\u2013V)<\/strong>\u00a0e\u00a0<strong>capacit\u00e2ncia-tens\u00e3o (C\u2013V)<\/strong>\u00a0em temperaturas criog\u00eanicas ultrabaixas (<strong>&lt; 4 K<\/strong>);<\/li>\n\n\n\n<li>caracteriza\u00e7\u00e3o \u00f3ptica por\u00a0<strong>espectroscopia de fotoluminesc\u00eancia (PL)<\/strong>\u00a0para identifica\u00e7\u00e3o de transi\u00e7\u00f5es eletr\u00f4nicas associadas a defeitos;<\/li>\n\n\n\n<li>investiga\u00e7\u00e3o da viabilidade desses defeitos como plataformas para\u00a0<strong>qubits em estado s\u00f3lido<\/strong>\u00a0e aplica\u00e7\u00f5es em\u00a0<strong>sensoriamento qu\u00e2ntico<\/strong>.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>A pesquisa ser\u00e1 desenvolvida no contexto das atividades estrat\u00e9gicas do&nbsp;<strong>CEPID CRISQuaM<\/strong>, com forte integra\u00e7\u00e3o entre&nbsp;<strong>nanofabrica\u00e7\u00e3o, caracteriza\u00e7\u00e3o criog\u00eanica e espectroscopia de defeitos<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Informa\u00e7\u00f5es da vaga<\/strong><br>Local: CCSNano\/Unicamp, Campinas<br>Pesquisador respons\u00e1vel: Daniel Mario Ugarte<br>Inscri\u00e7\u00f5es at\u00e9: 10\/04\/2026<br>E-mail para inscri\u00e7\u00f5es:&nbsp;<a href=\"mailto:jadiniz@unicamp.br\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">jadiniz@unicamp.br<\/a><br>N\u00ba da vaga: 9229<br>Processo FAPESP: 2024\/00998-6<\/p>\n\n\n\n<p>A vaga est\u00e1 aberta a&nbsp;<strong>brasileiros e estrangeiros<\/strong>. O(a) selecionado(a) receber\u00e1&nbsp;<strong>Bolsa de P\u00f3s-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.570,00 mensais<\/strong>, al\u00e9m de&nbsp;<strong>Reserva T\u00e9cnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa<\/strong>&nbsp;para despesas diretamente relacionadas \u00e0 pesquisa.<\/p>\n\n\n\n<p>Uma excelente oportunidade para pesquisadores interessados em&nbsp;<strong>semicondutores, dispositivos em SiC, f\u00edsica experimental e tecnologias qu\u00e2nticas<\/strong>.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Est\u00e3o abertas as inscri\u00e7\u00f5es para&nbsp;1 vaga de P\u00f3s-Doutorado em Semicondutores, vinculada ao projeto&nbsp;Centro de Pesquisa e Inova\u00e7\u00e3o de Materiais Inteligentes e Qu\u00e2nticos (CRISQuaM), no&nbsp;Instituto de F\u00edsica Gleb Wataghin da Unicamp (IFGW-Unicamp). 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