Um mapa para pontos quânticos num material semicondutor

Destaque em Física, semana de 27 de abril de 2017

destaque 27042017Os chamados pontos quânticos (quantum dots) são tidos pelos cientistas hoje como elementos fundamentais na criação de dispositivos avançados de optoeletrônica e costumam se instalar em micropilares ou microfios no material.

Estamos, contudo, falando de nanotecnologia, em que essas estruturas são muito pequenas, na escala dos milionésimos de milímetro. Para construir os "dots", os cientistas normalmente usam processos de auto-montagem, em que reações no próprio material tendem a produzi-los. E, quando isso acontece, a distribuição dos "dots" é largamente aleatória.

Agora, um grupo francês com participação de um brasileiro desenvolveu uma técnica para mapear precisamente as posições dos "dots" na microestrutura. Em essência, o mapa foi feito medindo as mudanças na energia da luz emitida por cada “dot” durante a oscilação do fio, que gera um gradiente de estresse sobre os “dots”.

O arranjo experimental, que envolveu uma antena em forma de fio com uma camada de quantum dots de arseneto de índio, foi produzido na Universidade de Grenoble Alpes, na França, sob a coordenação de Julien Claudon, Maxime Richard e Jean-Philippe Poizat. O trabalho contou com a participação de Pierre-Louis de Assis, então na Universidade Federal de Minas Gerais, hoje professor da Unicamp. Ele assina como primeiro autor do estudo, publicado em 16 de março no "Physical Review Letters".

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