Espalhamento Raman em múltiplas camadas

A busca por materiais que possam sustentar o contínuo desenvolvimento e a miniaturização de circuitos e dispositivos continua motivando laboratórios de pesquisa básica. Um trabalho importante nessa direção acaba de ser realizado por um grupo de pesquisadores brasileiros da UFMG.

Eles investigaram um material constituído de camadas monoatômicas, o dissulfeto de molibdênio (MoS2). Este composto já foi identificado como um possível candidato para a fabricação de transistores com uma única camada atômica.

No trabalho, o grupo de Marcos A. Pimenta, do Departamento de Física da UFMG (Universidade Federal de Minas Gerais), investigou a resposta de amostras à incidência de um laser. Foram estudados filmes de uma, duas ou três camadas de dissulfeto de molibdênio, além de uma amostra de volume, com um numero macroscópico de camadas.

Ao excitar o material com um laser sintonizável,, os pesquisadores observaram um fenômeno conhecido como espalhamento Raman, caracterizando-o principalmente em duas bandas específicas. O estudo investiga resposta a 30 linhas de luz cobrindo o espectro visível, e compara amostras com 1, 2 ou 3 camadas e uma de volume.

Os experimentos, reportados em 2 de abril no periódico "Physical Review Letters", confirmaram predições teóricas sobre o dissulfeto de molibdênio, reafirmando seu potencial para aplicações nanotecnológicas. O artigo com predições teóricas, publicado em 2013 também no PRL, tem como um dos co-autores o também brasileiro Felipe H. da Jornada, doutorando na Universidade de California em Berkeley.

Para ler o artigo, clique aqui (resumo de acesso livre, texto completo só para assinantes).

 

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