Controle de precessão de spin em elétrons quasi-estacionários

Destaque em Física, semana de 19 de Maio de 2016

destaque 19052016A indústria eletrônica moderna é essencialmente baseada no controle de elétrons em semicondutores para executar operações lógicas. O que é relevante para essa manipulação é a carga do elétron. Mas o interesse é cada vez maior no uso de outra propriedade eletrônica, o spin, para realizar processamento de informação.

Uma contribuição importante nesse sentido acaba de ser divulgada por pesquisadores na Suíça, no Brasil e no Japão, em publicação no dia 9 de maio, no prestigioso periódico "Physical Review Letters".

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Eletrônica confinada a duas dimensões

Destaque em Física, semana de 12 de Maio de 2016

destaque 12052016Materiais bidimensionais (2D) vêm recebendo atenção cada vez maior no campo da nanotecnologia por apresentarem propriedades inusitadas e de alto potencial para uso em aplicações. Em particular no campo da eletrônica, é fundamental que se possa controlar com precisão os estados eletrônicos da superfície de materiais 2D.

Nesse sentido, uma contribuição importante foi recentemente publicada  por um grupo de pesquisadores nos Estados Unidos e no Brasil. Eles desenvolveram  um método que controla os estados eletrônicos a partir de uma reação de ácido de Lewis e base que não altera a estrutura do material.

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Comitê do CNPq divulga critérios para Bolsas de Produtividade 2016

Acontece na SBF, semana de 12 de Maio de 2016

A pedido do Prof. Gastão Krein - coordenador do Comitê Assessor de Física e Astronomia do CNPq (CA-FA) -  divulgamos aqui o documento "Critérios para Alocação de Bolsas de Produtividade" com os critérios ATUALIZADOS de julgamento dessas bolsas pelo CA-FA do CNPq. O documento tem vigência de 2016 a 2018.
 
O edital da chamada para submissão de propostas para as Bolsas de Produtividade em Pesquisa estará aberto de 16 de maio a 12 de agosto de 2016.
 

 

Indicação do Novo Ministro da Ciência, Tecnologia e Inovação

Acontece na SBF, semana de 05 de Maio de 2016

Manifestação da Sociedade Brasileira de Física (SBF)

A ciência brasileira tem se desenvolvido de forma contínua e abrangente, desde a criação do CNPq, sendo hoje reconhecida de padrão internacional em diversas áreas. Esse sucesso foi ancorado em duas bases fundamentais.  A primeira foi a implantação de projetos estruturantes pelo governo e agências de fomento, como o programa de bolsas de pós-graduação, o financiamento à pesquisa em pequena, média e grande escalas e a construção de laboratórios nacionais, como o LNLS. A segunda foi a apreciação de propostas e análise de projetos utilizando exclusivamente critérios de mérito compatíveis com o padrão científico internacional.

Neste momento, a severa crise econômica que atingiu o país tem afetado fortemente nosso progresso científico e tecnológico, ocasionando sério retrocesso nos avanços alcançados. Análises econômicas, com isenção de preconceitos ideológicos, indicam claramente que esse cenário deverá continuar por pelo menos mais dois anos.

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Estudo investiga propriedades de memristores

destaque 28042016Destaque em Física, semana de 28 de Abril de 2016

Os elementos passivos de circuitos elétricos são os familiares resistores, capacitores e indutores. Em 1971, o engenheiro elétrico Leon Chua deduziu, usando argumentos de simetria, que deveria existir um quarto elemento passivo, que ele denominou memristor (junção compactada de memory resistor). Memristores são constituídos de materiais bastante intrigantes de tal maneira que não apresentam uma relação linear entre corrente e tensão. Isso significa, na prática, que sua resistência à passagem de eletricidade é variável. Mais importante ainda, é o fato de que estes estados de resistência não são voláteis, permitindo que memórias e outros dispositivos e circuitos sejam criados.

Um novo trabalho investigou especificamente como isso se dá em memristores de óxido de tântalo (TaO_x). Mediante variação da tensão aplicada e da concentração de oxigênio, esse composto exibe variação da resistência de um regime metálico para outro isolante ou semicondutor, representando uma realização física de um memristor.

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